场效应管|增强型MOS管N沟道，MIP3E3SMY
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | NEC | |
| 型号： | MIP3E3SMY |
| 品牌/商标 | NEC | 型号/规格 | MIP3E3SMY |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
供应一系列三极管
| 2SB920 |
| 2SB921 |
| 2SB922 |
| 2SB923 |
| 2SB924 |
| 2SB925 |
| 2SB926 |
| 2SB956 |
| 2SB761 |
| 2SB511 |
| 2SB903 |
| 2SB765 |
| 2SB762 |
| 2SB553 |
| 2SB1091 |
| 2SB870 |
| 2SB871 |
| 2SB872 |
| 2SB873 |
| 2SB874 |
| 2SB875 |
| 2SB876 |
| 2SB877 |
| 2SB834 |
| 2SB1087 |
- 所属城市：广东 汕头
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- 联系人： 王钟禄
- 电话：0754-84495862
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三极管MJE13007
信息内容：品牌/商标 NEC 型号/规格 MJE13007 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
场效应管2SK1983
信息内容：品牌/商标 富士通 型号/规格 2SK1983 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 供应一系列三极管78L05TL431KA431LM7924LM79247918LM79187915LM7915791279127908790879067906790579057824782478187818781578157812781278107909780978087808780678067805
