场效应管2SK1998
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | 东芝 | |
| 型号： | 2SK1998 |
| 品牌/商标 | 东芝 | 型号/规格 | 2SK1998 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
供应一系列三极管
| C83M-004 |
| C83-004 |
| C60P06Q |
| 30P04Q |
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| 16P06Q |
| 16P04Q |
| SBL3045 |
| SBL3040 |
| MBR20200 |
| MBR20100 |
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| MBR6045 |
| MBR4060 |
| MBR4045 |
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| MBR3030 |
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| MBR2060 |
- 所属城市：广东 汕头
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场效应管|增强型MOS管N沟道，MIP3E3SMY
信息内容：品牌/商标 NEC 型号/规格 MIP3E3SMY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 供应一系列三极管2SB9202SB9212SB9222SB9232SB9242SB9252SB9262SB9562SB7612SB5112SB9032SB7652SB7622SB5532SB10912SB8702SB8712SB8722SB8732SB8742SB8752SB8762SB8772SB8342SB1087
三极管MJE13007
信息内容：品牌/商标 NEC 型号/规格 MJE13007 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
