品牌/商标 | panasoni | 型号/规格 | 2SK1608 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 0(V) | 夹断电压 | 0(V) |
低频跨导 | 0(μS) | 极间电容 | 0(pF) |
低频噪声系数 | 0(dB) | 漏极电流 | 0(mA) |
耗散功率 | 0(mW) |
供应一系列三极管
2S | A775 |
2S | A814 |
2S | A815 |
2S | A839 |
2S | A913 |
2S | A940 |
2S | A958 |
2S | A968 |
2S | A985 |
2SA1006 | |
2SA1008 | |
2SA1009 | |
2SA1010 | |
2SA1011 | |
2SA1012 | |
2SA1013 | |
2SA1013 | |
2SA1015 | |
2SA1015 | |
2SA1018 | |
2SA1020 | |
2SA1072 | |
2SA1075 |
品牌/商标 东芝 型号/规格 2SK1998 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) 供应一系列三极管C83M-004C83-004C60P06Q30P04Q25P06Q25P04Q16P06Q16P04QSBL3045SBL3040MBR20200MBR20100MBR10100MBR6045MBR4060MBR4045MBR3060MBR3045MBR3040MBR3035MBR3030MBR2545MBR2060
品牌/商标 NEC 型号/规格 MIP3E3SMY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) 供应一系列三极管2SB9202SB9212SB9222SB9232SB9242SB9252SB9262SB9562SB7612SB5112SB9032SB7652SB7622SB5532SB10912SB8702SB8712SB8722SB8732SB8742SB8752SB8762SB8772SB8342SB1087