28A 100V场效应管MOS管IRF540
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | IRF540 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | IRF540 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2（V） | 夹断电压 | 100（V） |
| 极间电容 | 2000（pF） | 漏极电流 | 28（mA） |
| 耗散功率 | 150W（mW） |
IRF510
IRF520
IRF530
IRF540
IRF610
IRF620
IRF630
IRF640
IRF650
- 所属城市：广东 汕头
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AOT430 AOT428 T430 T428
信息内容：品牌/商标 ALP美国Alpha 型号/规格 AOT430 AOT428 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 5（V） 夹断电压 75（V） 低频跨导 22（μS） 极间电容 222（pF） 低频噪声系数 222（dB） 漏极电流 80A（mA） 耗散功率 268W（mW） AOT430 80A 75V 11.5欧 268WAOT 428 80A 75V 11欧 115W
3A 800V 40W场效应管K903
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K903 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 8（V） 夹断电压 800（V） 低频跨导 2561（μS） 极间电容 35（pF） 低频噪声系数 18（dB） 漏极电流 3（mA） 耗散功率 40（mW） K903：3A 800V <4Ω 40W
