3A 800V 40W场效应管K903
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | K903 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | K903 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 8（V） | 夹断电压 | 800（V） |
| 低频跨导 | 2561（μS） | 极间电容 | 35（pF） |
| 低频噪声系数 | 18（dB） | 漏极电流 | 3（mA） |
| 耗散功率 | 40（mW） |
K903：3A 800V <4Ω 40W
- 所属城市：广东 汕头
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4A 100V 43W场效应管IRF9510
信息内容：品牌/商标 IR 三星 型号/规格 IRF9510 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 5（V） 夹断电压 100（V） 低频跨导 222（μS） 极间电容 25（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 4（mA） 耗散功率 43（mW） P场IRF9510的参数：4A 100V <1.2Ω 43W
28A 200V 156W场效应管IRF650
信息内容：品牌/商标 IRF ST 三星 摩托罗拉 型号/规格 IRF650 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 200（V） 极间电容 23（pF） 低频噪声系数 3（dB） 漏极电流 28（mA） 耗散功率 156（mW） IRF650：28A 200V <85mΩ 156W
