AOT430 AOT428 T430 T428
| 价 格： | 1.50 | |
| 品牌： | ALP美国Alpha | |
| 型号： | AOT430 AOT428 |
| 品牌/商标 | ALP美国Alpha | 型号/规格 | AOT430 AOT428 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 5（V） | 夹断电压 | 75（V） |
| 低频跨导 | 22（μS） | 极间电容 | 222（pF） |
| 低频噪声系数 | 222（dB） | 漏极电流 | 80A（mA） |
| 耗散功率 | 268W（mW） |
AOT430 80A 75V 11.5欧 268W
AOT 428 80A 75V 11欧 115W
- 所属城市：广东 汕头
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- 联系人： 苏春湖
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- 传真：86 0754 84493628
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3A 800V 40W场效应管K903
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K903 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 8（V） 夹断电压 800（V） 低频跨导 2561（μS） 极间电容 35（pF） 低频噪声系数 18（dB） 漏极电流 3（mA） 耗散功率 40（mW） K903：3A 800V <4Ω 40W
4A 100V 43W场效应管IRF9510
信息内容：品牌/商标 IR 三星 型号/规格 IRF9510 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 5（V） 夹断电压 100（V） 低频跨导 222（μS） 极间电容 25（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 4（mA） 耗散功率 43（mW） P场IRF9510的参数：4A 100V <1.2Ω 43W
