品牌/商标 | INFINEON/英飞凌 | 型号/规格 | 21N50C3 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 500(V) | 夹断电压 | .(V) |
跨导 | .(μS) | 极间电容 | .(pF) |
低频噪声系数 | 10(dB) | 漏极电流 | 21(mA) |
耗散功率 | 560(mW) |
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品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFS640 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 10(V) 夹断电压 20(V) 跨导 30(μS) 极间电容 10(pF) 低频噪声系数 20(dB) 漏极电流 30(mA) 耗散功率 100(mW)
产品类型 频率倍增二极管 品牌/商标 进口 型号/规格 VPS10S 结构 平面型 材料 锗(Ge) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 功率特性 中功率 频率特性 中频 发光颜色 电压控制 LED封装 无色透明(T) 出光面特征 圆灯 发光强度角分布 标准型 反向电压VR .(V) 正向直流电流IF .(A) .............................................................................