产品类型 | 频率倍增二极管 | 品牌/商标 | 进口 |
型号/规格 | VPS10S | 结构 | 平面型 |
材料 | 锗(Ge) | 封装形式 | 直插型 |
封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | 中功率 |
频率特性 | 中频 | 发光颜色 | 电压控制 |
LED封装 | 无色透明(T) | 出光面特征 | 圆灯 |
发光强度角分布 | 标准型 | 反向电压VR | .(V) |
正向直流电流IF | .(A) |
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品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 W8NB100 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 S/开关 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 .(V) 夹断电压 .(V) 跨导 .(μS) 极间电容 .(pF) 低频噪声系数 .(dB) 漏极电流 .(mA) 耗散功率 .(mW) dzsc/18/7282/18728265.jpg........................dzsc/18/7282/18728265.jpg............................dzsc/18/7282/18728265.jpg........................
品牌/商标 FairChild仙童 型号/规格 FGA25N120 应用范围 微波 材料 硅(Si) 极性 NPN型 集电极允许电流ICM .(A) 集电极耗散功率PCM .(W) 截止频率fT .(MHz) 结构 平面型 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 ...................................................................................................