品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFS640 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 10(V) | 夹断电压 | 20(V) |
跨导 | 30(μS) | 极间电容 | 10(pF) |
低频噪声系数 | 20(dB) | 漏极电流 | 30(mA) |
耗散功率 | 100(mW) |
产品类型 频率倍增二极管 品牌/商标 进口 型号/规格 VPS10S 结构 平面型 材料 锗(Ge) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 功率特性 中功率 频率特性 中频 发光颜色 电压控制 LED封装 无色透明(T) 出光面特征 圆灯 发光强度角分布 标准型 反向电压VR .(V) 正向直流电流IF .(A) .............................................................................
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 W8NB100 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 S/开关 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 .(V) 夹断电压 .(V) 跨导 .(μS) 极间电容 .(pF) 低频噪声系数 .(dB) 漏极电流 .(mA) 耗散功率 .(mW) dzsc/18/7282/18728265.jpg........................dzsc/18/7282/18728265.jpg............................dzsc/18/7282/18728265.jpg........................