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三极管1N5819

价 格: 1.00
品牌/商标:MIC TOS
型号/规格:1N5819
功率特性:中功率
频率特性:超高频
极性:NPN型
封装形式:SMA/SMB/SMC/DO-41

品牌/商标 MIC TOS 型号/规格 1N5819
应用范围 功率 功率特性 中功率
频率特性 超高频 极性 NPN型
结构 平面型 材料
封装形式 SMA/SMB/SMC/DO-41 封装材料 玻璃封装
截止频率fT 0(MHz) 集电极允许电流ICM 0(A)
集电极耗散功率PCM 0(W) 营销方式 现货
产品性质 热销

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1N5819  现货热卖中,价格优势,现货,以上价格紧供参考,详细资料请登陆旺铺,或与本公司陈小姐联系。

深圳市福田区新亚洲电子市场二期新华尔电子商行
公司信息未核实
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IRFR420APBF

信息内容:

品牌/商标 IR, 主营:MOSFET管 型号/规格 IRFR420APBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) 新华尔电子科技主要经营 二 三极管 IC电路 模块等系列元器件,欢迎广大客户来电咨询!服务热线:0755-83249120咨询QQ:905333221联系人:陈小姐 本公司可开17%点增值税票

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SPI80N03S2L-06,主营二三极管,IC集成电路

信息内容:

品牌/商标 SPI80N03S2L-06 型号/规格 SPI80N03S2L-06 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 --(V) 夹断电压 --(V) 极间电容 --(pF) 低频噪声系数 --(dB) 漏极电流 --(mA) 耗散功率 --(mW)

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