品牌/商标 | SPI80N03S2L-06 | 型号/规格 | SPI80N03S2L-06 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MOS-ARR/陈列组件 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | GaAS-FET砷化镓 |
开启电压 | --(V) | 夹断电压 | --(V) |
极间电容 | --(pF) | 低频噪声系数 | --(dB) |
漏极电流 | --(mA) | 耗散功率 | --(mW) |
品牌/商标 SPI80N03S2L-05 型号/规格 SPI80N03S2L-05 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 GEP/互补类型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 --(V) 夹断电压 --(V) 极间电容 --(pF) 低频噪声系数 --(dB) 漏极电流 --(mA) 耗散功率 --(mW)
应用范围 08+ROHS 种类 27839 品牌/商标 MURATA/村田 型号/规格 NFM41R11C102T1M00-54 封装形式 贴片电感 绕线形式 多层平绕式 导磁体性质 空芯 磁芯形状 E形 工作频率 高频 安装方式 立式密封 骨架材料 胶木 品质因数Q 0 电感量 0(mH) 允许误差 0 感抗XL 0(Ω) 额定电流 00(mA) 分布电容 0(F) 标称电压 0(V)