IRFR420APBF
| 价 格： | 2.00 | |
| 品牌： | IR， 主营:MOSFET管 | |
| 型号： | IRFR420APBF |
| 品牌/商标 | IR， 主营:MOSFET管 | 型号/规格 | IRFR420APBF |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | AM/调幅 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
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SPI80N03S2L-06，主营二三极管，IC集成电路
信息内容：品牌/商标 SPI80N03S2L-06 型号/规格 SPI80N03S2L-06 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 --（V） 夹断电压 --（V） 极间电容 --（pF） 低频噪声系数 --（dB） 漏极电流 --（mA） 耗散功率 --（mW）
SPI80N03S2L-05，主营二三极管，IC集成电路
信息内容：品牌/商标 SPI80N03S2L-05 型号/规格 SPI80N03S2L-05 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 GEP/互补类型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 --（V） 夹断电压 --（V） 极间电容 --（pF） 低频噪声系数 --（dB） 漏极电流 --（mA） 耗散功率 --（mW）
