品牌/商标 | 进口 | 型号/规格 | D2500 |
应用范围 | 功率 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | .(V) |
集电极允许电流ICM | .(A) | 集电极耗散功率PCM | .(W) |
截止频率fT | .(MHz) | 结构 | 台面型 |
封装形式 | TO-3PF | 封装材料 | 塑料封装 |
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品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 21N50C3 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 500(V) 夹断电压 .(V) 跨导 .(μS) 极间电容 .(pF) 低频噪声系数 10(dB) 漏极电流 21(mA) 耗散功率 560(mW) dzsc/18/7246/18724676.jpg......................dzsc/18/7246/18724676.jpg............................dzsc/18/7246/18724676.jpg
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFS640 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 10(V) 夹断电压 20(V) 跨导 30(μS) 极间电容 10(pF) 低频噪声系数 20(dB) 漏极电流 30(mA) 耗散功率 100(mW)