28A 100V 150W场效应管IRF540
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | SSI美国固体工业 | |
| 型号： | IRF540 |
| 品牌/商标 | SSI美国固体工业 | 型号/规格 | IRF540 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 7（V） | 夹断电压 | 100（V） |
| 极间电容 | 23（pF） | 低频噪声系数 | 4（dB） |
| 漏极电流 | 28（mA） | 耗散功率 | 150（mW） |
IRF540：28A 100V <77mΩ 150W
- 所属城市：广东 汕头
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现货供应6A 600V场效应MOS管2SK2545
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SK2545 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 20（μS） 极间电容 2000（pF） 漏极电流 6A（mA） 耗散功率 50（mW）
10N60 SSP10N60 STP10N60
信息内容：品牌/商标 仙童，三星，ST 型号/规格 10N60金属封装 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 5（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 22（μS） 极间电容 222（pF） 低频噪声系数 222（dB） 漏极电流 10A（mA） 耗散功率 150W（mW）
