10N60 SSP10N60 STP10N60
| 价 格： | 1.60 | |
| 品牌： | 仙童，三星，ST | |
| 型号： | 10N60金属封装 |
| 品牌/商标 | 仙童，三星，ST | 型号/规格 | 10N60金属封装 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 5（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 低频跨导 | 22（μS） | 极间电容 | 222（pF） |
| 低频噪声系数 | 222（dB） | 漏极电流 | 10A（mA） |
| 耗散功率 | 150W（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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- 联系人： 苏春湖
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12A 60V 88WP场IRF9531
信息内容：品牌/商标 IR 三星 摩托罗拉 型号/规格 IRF9531 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 5（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 2223（μS） 极间电容 3（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 12（mA） 耗散功率 88（mW） P场IRF9531：12A 60V <0.3Ω 88W
6.5A 200V 74W场效应管IRF9630
信息内容：品牌/商标 IR 三星 型号/规格 IRF9630 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 5（V） 夹断电压 200（V） 低频跨导 222（μS） 极间电容 23（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 6.5（mA） 耗散功率 74（mW） P场IRF9630：6.5A 200V <0.8Ω 74Wdzsc/18/7241/18724109.jpgdzsc/18/7241/18724109.jpg
