6.5A 200V 74W场效应管IRF9630
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR 三星 | |
| 型号： | IRF9630 |
| 品牌/商标 | IR 三星 | 型号/规格 | IRF9630 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 5（V） | 夹断电压 | 200（V） |
| 低频跨导 | 222（μS） | 极间电容 | 23（pF） |
| 低频噪声系数 | 2（dB） | 漏极电流 | 6.5（mA） |
| 耗散功率 | 74（mW） |
P场IRF9630：6.5A 200V <0.8Ω 74W
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- 所属城市：广东 汕头
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19A 100V 150W场效应管IRF9540
信息内容：品牌/商标 IR 三星 型号/规格 IRF9540 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 100（V） 低频跨导 222（μS） 极间电容 2（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 19（mA） 耗散功率 150（mW） P场IRF9540：19A 100V <0.2Ω 150W
30A 60V 35W场效应管J295
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 J295 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 3（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 2223（μS） 极间电容 32（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 30（mA） 耗散功率 35（mW） P场J295：30A 60V <43mΩ 35W
