30A 60V 35W场效应管J295
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | J295 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | J295 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 3（V） | 夹断电压 | 60（V） |
| 低频跨导 | 2223（μS） | 极间电容 | 32（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 30（mA） |
| 耗散功率 | 35（mW） |
P场J295：30A 60V <43mΩ 35W
- 所属城市：广东 汕头
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FDP090N10 FDP090
信息内容：品牌/商标 仙童 型号/规格 FDP090N10 FDP090 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 5（V） 夹断电压 100（V） 低频跨导 22（μS） 极间电容 2222（pF） 低频噪声系数 22（dB） 漏极电流 75A（mA） 耗散功率 208W（mW）
MTP75N05 SUP75N05 75N05
信息内容：品牌/商标 威世，雷达，安美森，摩托罗拉 型号/规格 75N05 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 5（V） 夹断电压 50（V） 低频跨导 33（μS） 极间电容 333（pF） 低频噪声系数 222（dB） 漏极电流 75A（mA） 耗散功率 150W（mW） 大电流75N05的参数75A 50V 9.5mΩdzsc/18/7241/18724180.jpgdzsc/18/7241/18724180.jpg
