现货供应6A 600V场效应MOS管2SK2545
| 价 格： | 1.50 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | 2SK2545 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | 2SK2545 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 低频跨导 | 20（μS） | 极间电容 | 2000（pF） |
| 漏极电流 | 6A（mA） | 耗散功率 | 50（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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10N60 SSP10N60 STP10N60
信息内容：品牌/商标 仙童，三星，ST 型号/规格 10N60金属封装 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 5（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 22（μS） 极间电容 222（pF） 低频噪声系数 222（dB） 漏极电流 10A（mA） 耗散功率 150W（mW）
12A 60V 88WP场IRF9531
信息内容：品牌/商标 IR 三星 摩托罗拉 型号/规格 IRF9531 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 5（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 2223（μS） 极间电容 3（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 12（mA） 耗散功率 88（mW） P场IRF9531：12A 60V <0.3Ω 88W
