10A 200V 快恢复BYQ28-200
| 价 格： | 0.80 | |
| 品牌/商标： | 飞利浦 NXP | |
| 型号/规格： | BYQ28E-200 BYQ28X-200 | |
| 封装形式： | 直插型 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | 高频 |
| 品牌/商标 | 飞利浦 NXP | 型号/规格 | BYQ28E-200 BYQ28X-200 |
| 产品类型 | 整流管 | 结构 | 点接触型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 金属封装 塑料封装 | 功率特性 | 大功率 |
| 频率特性 | 高频 | 发光颜色 | 橙色 |
| LED封装 | 加色散射封装(D) | 出光面特征 | 圆灯 |
| 发光强度角分布 | 高指向性 | 正向直流电流IF | 10（A） |
| 反向电压 | 200（V） |
BYQ28E-200 10A 200V <20ns
BYQ28X-200 10A 200V 20ns
- 所属城市：广东 汕头
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- 联系人： 苏春湖
- 电话：86 0754 84483628
- 传真：86 0754 84493628
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FDP050AN060 FDP050
信息内容：品牌/商标 仙童 型号/规格 FDP050AN060A0 FDP050AN FDP050 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 222（μS） 极间电容 2222（pF） 低频噪声系数 2222（dB） 漏极电流 80（mA） 耗散功率 245W（mW）
场效应MOS管STP80NF55 80N55
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP80NF55 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 FM/调频 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 55（V） 极间电容 22（pF） 低频噪声系数 22（dB） 漏极电流 80A（mA） 耗散功率 200W（mW） STP80NF55 80A 55V 200WSTP80NE55 80A 55V80A55V
