场效应MOS管STP80NF55 80N55
| 价 格： | 1.50 | |
| 品牌： | ST意法半导体 | |
| 型号： | STP80NF55 |
| 品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | STP80NF55 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | FM/调频 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2（V） | 夹断电压 | 55（V） |
| 极间电容 | 22（pF） | 低频噪声系数 | 22（dB） |
| 漏极电流 | 80A（mA） | 耗散功率 | 200W（mW） |
STP80NF55 80A 55V 200W
STP80NE55 80A 55V
80A55V
- 所属城市：广东 汕头
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- 联系人： 苏春湖
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14A 100V 88W场效应管IRF530
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 IRF530 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 夹断电压 100（V） 极间电容 23（pF） 低频噪声系数 3（dB） 漏极电流 14（mA） 耗散功率 88（mW） IRF530：14A 100V <0.16Ω 88W
IRFZ24 IRFZ24N IRLZ24 IRFIZ24
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 IRFZ24 IRFZ24N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 22（V） 夹断电压 222（V） 极间电容 222（pF） 低频噪声系数 222（dB） 漏极电流 222（mA） 耗散功率 2222（mW）
