FDP050AN060 FDP050
| 价 格： | 2.00 | |
| 品牌： | 仙童 | |
| 型号： | FDP050AN060A0 FDP050AN FDP050 |
| 品牌/商标 | 仙童 | 型号/规格 | FDP050AN060A0 FDP050AN FDP050 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2（V） | 夹断电压 | 60（V） |
| 低频跨导 | 222（μS） | 极间电容 | 2222（pF） |
| 低频噪声系数 | 2222（dB） | 漏极电流 | 80（mA） |
| 耗散功率 | 245W（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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- 联系人： 苏春湖
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场效应MOS管STP80NF55 80N55
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP80NF55 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 FM/调频 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 55（V） 极间电容 22（pF） 低频噪声系数 22（dB） 漏极电流 80A（mA） 耗散功率 200W（mW） STP80NF55 80A 55V 200WSTP80NE55 80A 55V80A55V
14A 100V 88W场效应管IRF530
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 IRF530 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 夹断电压 100（V） 极间电容 23（pF） 低频噪声系数 3（dB） 漏极电流 14（mA） 耗散功率 88（mW） IRF530：14A 100V <0.16Ω 88W
