PNP型场效应管2SJ303 J303
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | J303 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | J303 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 4（V） | 夹断电压 | 60（V） |
| 低频跨导 | 2223（μS） | 极间电容 | 24（pF） |
| 低频噪声系数 | 2（dB） | 漏极电流 | 14（mA） |
| 耗散功率 | 50（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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10A 200V 快恢复BYQ28-200
信息内容：品牌/商标 飞利浦 NXP 型号/规格 BYQ28E-200 BYQ28X-200 产品类型 整流管 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 塑料封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 发光颜色 橙色 LED封装 加色散射封装(D) 出光面特征 圆灯 发光强度角分布 高指向性 正向直流电流IF 10（A） 反向电压 200（V） BYQ28E-200 10A 200V <20nsBYQ28X-200 10A 200V 20ns
FDP050AN060 FDP050
信息内容：品牌/商标 仙童 型号/规格 FDP050AN060A0 FDP050AN FDP050 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 222（μS） 极间电容 2222（pF） 低频噪声系数 2222（dB） 漏极电流 80（mA） 耗散功率 245W（mW）
