品牌/商标 | IR 摩托罗拉 仙童 | 型号/规格 | IRFZ34 IRFZ34N |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 22(V) | 夹断电压 | 22(V) |
低频跨导 | 222(μS) | 极间电容 | 222(pF) |
低频噪声系数 | 2222(dB) | 漏极电流 | 2222(mA) |
耗散功率 | 222(mW) |
品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 J303 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 4(V) 夹断电压 60(V) 低频跨导 2223(μS) 极间电容 24(pF) 低频噪声系数 2(dB) 漏极电流 14(mA) 耗散功率 50(mW)
品牌/商标 飞利浦 NXP 型号/规格 BYQ28E-200 BYQ28X-200 产品类型 整流管 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 塑料封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 发光颜色 橙色 LED封装 加色散射封装(D) 出光面特征 圆灯 发光强度角分布 高指向性 正向直流电流IF 10(A) 反向电压 200(V) BYQ28E-200 10A 200V <20nsBYQ28X-200 10A 200V 20ns