STP9NK60 9N60 9NK65 9NK70
| 价 格： | 1.50 | |
| 品牌： | ST意法半导体 | |
| 型号： | STP9NK60 STP9NC60 |
| 品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | STP9NK60 STP9NC60 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 5（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 低频跨导 | 222（μS） | 极间电容 | 2222（pF） |
| 低频噪声系数 | 2222（dB） | 漏极电流 | 9A（mA） |
| 耗散功率 | 150W（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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- 联系人： 苏春湖
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IRFZ34 IRFZ34N IRLZ34 IRFIZ34
信息内容：品牌/商标 IR 摩托罗拉 仙童 型号/规格 IRFZ34 IRFZ34N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 22（V） 夹断电压 22（V） 低频跨导 222（μS） 极间电容 222（pF） 低频噪声系数 2222（dB） 漏极电流 2222（mA） 耗散功率 222（mW）
PNP型场效应管2SJ303 J303
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 J303 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 2223（μS） 极间电容 24（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 14（mA） 耗散功率 50（mW）
