10A 60V场效应管J175
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | J175 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | J175 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 5（V） | 夹断电压 | 60（V） |
| 低频跨导 | 222（μS） | 极间电容 | 23（pF） |
| 低频噪声系数 | 2（dB） | 漏极电流 | 10（mA） |
| 耗散功率 | 25（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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STP9NK60 9N60 9NK65 9NK70
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP9NK60 STP9NC60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 5（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 222（μS） 极间电容 2222（pF） 低频噪声系数 2222（dB） 漏极电流 9A（mA） 耗散功率 150W（mW）
IRFZ34 IRFZ34N IRLZ34 IRFIZ34
信息内容：品牌/商标 IR 摩托罗拉 仙童 型号/规格 IRFZ34 IRFZ34N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 22（V） 夹断电压 22（V） 低频跨导 222（μS） 极间电容 222（pF） 低频噪声系数 2222（dB） 漏极电流 2222（mA） 耗散功率 222（mW）
