现货供应6A 600V场效应MOS管2SK2544
| 价 格： | 1.20 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | 2SK2544 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | 2SK2544 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 低频跨导 | 20（μS） | 极间电容 | 2000（pF） |
| 漏极电流 | 6A（mA） | 耗散功率 | 80W（mW） |
本商行可同时供应以下6A 600V场效应MOS管
SSP6N60
STP6N60
MTP6N60
IRFBC40
K1117
K1118
K2141
K2333
K2545
K3115
K3562
- 所属城市：广东 汕头
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- 联系人： 苏春湖
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10A 60V场效应管J175
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 J175 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 5（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 222（μS） 极间电容 23（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 10（mA） 耗散功率 25（mW）
STP9NK60 9N60 9NK65 9NK70
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP9NK60 STP9NC60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 5（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 222（μS） 极间电容 2222（pF） 低频噪声系数 2222（dB） 漏极电流 9A（mA） 耗散功率 150W（mW）
