60A 60V 150W场效应管60N06
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | ST意法半导体 | |
| 型号： | 60N06 |
| 品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | 60N06 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 4（V） | 夹断电压 | 60（V） |
| 低频跨导 | 23（μS） | 极间电容 | 32（pF） |
| 低频噪声系数 | 2（dB） | 漏极电流 | 60（mA） |
| 耗散功率 | 150（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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现货供应6A 600V场效应MOS管2SK2544
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SK2544 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 20（μS） 极间电容 2000（pF） 漏极电流 6A（mA） 耗散功率 80W（mW） 本商行可同时供应以下6A 600V场效应MOS管SSP6N60STP6N60MTP6N60IRFBC40K1117K1118K2141K2333K2545K3115K3562
10A 60V场效应管J175
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 J175 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 5（V） 夹断电压 60（V） 低频跨导 222（μS） 极间电容 23（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 10（mA） 耗散功率 25（mW）
