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IXFH50N20,IXFH58N20拆机场效应管

价 格: 3.50
品牌:IXY美国电报半导体
型号:IXFH50N20

品牌/商标 IXY美国电报半导体 型号/规格 IXFH50N20
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 FM/调频
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 200(V) 夹断电压 200(V)
低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 50(mA)
耗散功率 50(mW)





长期供应拆机电子元器件,价格从优,保质量,可供样品试用(样品费需买方自付)注本品为拆机件,有需要可联系0754-82331186/15989726056

王小芸
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 汕头
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  • 联系人: 王小芸
  • 电话:0754-82331186
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拆机场效应管W7NA80,7N80

信息内容:

品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 W7NA80 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DIFF/差分放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 800(V) 夹断电压 800(V) 低频跨导 35(μS) 极间电容 222(pF) 低频噪声系数 2(dB) 漏极电流 7(mA) 耗散功率 180(mW) 供应拆机场效应管W7NA80,7N80供应拆机场效应管W7NA80,7N80供应拆机场效应管W7NA80,7N80供应拆机场效应管W7NA80,7N80

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拆机场效应管IRFP264

信息内容:

品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRFP264 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 HG/高跨导 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 250(V) 夹断电压 250(V) 跨导 2(μS) 极间电容 22(pF) 低频噪声系数 22(dB) 漏极电流 37(mA) 耗散功率 280(mW) 供应拆机场效应管IRFP264供应拆机场效应管IRFP264供应拆机场效应管IRFP264供应拆机场效应管IRFP264 供应拆机场效应管IRFP264

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