品牌/商标 | IXY美国电报半导体 | 型号/规格 | IXFH50N20 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | FM/调频 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 200(V) | 夹断电压 | 200(V) |
低频跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 50(mA) |
耗散功率 | 50(mW) |
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品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 W7NA80 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DIFF/差分放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 800(V) 夹断电压 800(V) 低频跨导 35(μS) 极间电容 222(pF) 低频噪声系数 2(dB) 漏极电流 7(mA) 耗散功率 180(mW) 供应拆机场效应管W7NA80,7N80供应拆机场效应管W7NA80,7N80供应拆机场效应管W7NA80,7N80供应拆机场效应管W7NA80,7N80
品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRFP264 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 HG/高跨导 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 250(V) 夹断电压 250(V) 跨导 2(μS) 极间电容 22(pF) 低频噪声系数 22(dB) 漏极电流 37(mA) 耗散功率 280(mW) 供应拆机场效应管IRFP264供应拆机场效应管IRFP264供应拆机场效应管IRFP264供应拆机场效应管IRFP264 供应拆机场效应管IRFP264