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拆机场效应管W7NA80,7N80

价 格: 1.35
品牌:ST意法半导体
型号:W7NA80

品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 W7NA80
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 DIFF/差分放大
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 800(V) 夹断电压 800(V)
低频跨导 35(μS) 极间电容 222(pF)
低频噪声系数 2(dB) 漏极电流 7(mA)
耗散功率 180(mW)

供应拆机场效应管W7NA80,7N80

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王小芸
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 汕头
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 王小芸
  • 电话:0754-82331186
  • 传真:0754-82331186
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拆机场效应管IRFP264

信息内容:

品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRFP264 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 HG/高跨导 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 250(V) 夹断电压 250(V) 跨导 2(μS) 极间电容 22(pF) 低频噪声系数 22(dB) 漏极电流 37(mA) 耗散功率 280(mW) 供应拆机场效应管IRFP264供应拆机场效应管IRFP264供应拆机场效应管IRFP264供应拆机场效应管IRFP264 供应拆机场效应管IRFP264

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K1014,2SK1014拆机场效应管

信息内容:

品牌/商标 FUI日本富士通 型号/规格 K1014,2SK1014 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) 本产品为拆机件与散新件,长年供应拆机,散新电源管,开关,功率三极管,场效应管和电源,充电器配件,包装方式有管装盒装,欢迎新老客户咨询与订购,保质保量.

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