品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | W7NA80 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | DIFF/差分放大 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 800(V) | 夹断电压 | 800(V) |
低频跨导 | 35(μS) | 极间电容 | 222(pF) |
低频噪声系数 | 2(dB) | 漏极电流 | 7(mA) |
耗散功率 | 180(mW) |
供应拆机场效应管W7NA80,7N80
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品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRFP264 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 HG/高跨导 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 250(V) 夹断电压 250(V) 跨导 2(μS) 极间电容 22(pF) 低频噪声系数 22(dB) 漏极电流 37(mA) 耗散功率 280(mW) 供应拆机场效应管IRFP264供应拆机场效应管IRFP264供应拆机场效应管IRFP264供应拆机场效应管IRFP264 供应拆机场效应管IRFP264
品牌/商标 FUI日本富士通 型号/规格 K1014,2SK1014 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) 本产品为拆机件与散新件,长年供应拆机,散新电源管,开关,功率三极管,场效应管和电源,充电器配件,包装方式有管装盒装,欢迎新老客户咨询与订购,保质保量.