品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF540NSPBF |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | MW/微波 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 100(V) | 夹断电压 | 10(V) |
跨导 | 1100(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 10(dB) | 漏极电流 | 3300(mA) |
耗散功率 | 10(mW) |
IRF540N(S,L)PbF |
D2PAK, TO-263 |
50 |
離散半導體產品 |
FET - 單路 |
HEXFET® |
MOSFET N通道,金屬氧化物 |
標準 |
44 毫歐姆 @ 16A, 10V |
100V |
33A |
4V @ 250µA |
71nC @ 10V |
1960pF @ 25V |
130W |
表面黏著式 |
TO-263-3, D²Pak (2引線+接頭), TO-263AB |
管裝 |
D2PAK |
*IRF540NSPBF |
品牌/商标 NXP恩智浦 型号/规格 PMBS3906 应用范围 放大 功率特性 中功率 频率特性 高频 极性 PNP型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 截止频率fT 150(MHz) 集电极允许电流ICM 150MA(A) 集电极耗散功率PCM 250MW(W) 营销方式 代理 产品性质 热销
品牌/商标 InterFET美国 型号/规格 IRF7425PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 20(V) 夹断电压 1.2(V) 低频跨导 2(μS) 极间电容 36(pF) 低频噪声系数 25(dB) 漏极电流 15A(mA) 耗散功率 3000(mW) 数据列表IRF7425PbF产品相片8-SOIC Pkg标准包装95类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs...