品牌/商标 | NXP恩智浦 | 型号/规格 | PMBS3906 |
应用范围 | 放大 | 功率特性 | 中功率 |
频率特性 | 高频 | 极性 | PNP型 |
结构 | 面接触型 | 材料 | 硅(Si) |
封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
截止频率fT | 150(MHz) | 集电极允许电流ICM | 150MA(A) |
集电极耗散功率PCM | 250MW(W) | 营销方式 | 代理 |
产品性质 | 热销 |
品牌/商标 InterFET美国 型号/规格 IRF7425PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 20(V) 夹断电压 1.2(V) 低频跨导 2(μS) 极间电容 36(pF) 低频噪声系数 25(dB) 漏极电流 15A(mA) 耗散功率 3000(mW) 数据列表IRF7425PbF产品相片8-SOIC Pkg标准包装95类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs...
品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQA9N90C 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 900(V) 夹断电压 900(V) 低频跨导 125(μS) 极间电容 320(pF) 低频噪声系数 54(dB) 漏极电流 90000(mA) 耗散功率 2500(mW) 数据列表FQA9N90C产品变化通告Design/Process Change Notification 26/June/2007标准包装450类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列QFET™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物...