IRF7425PBF 全新原装 进口 现货 环保
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | InterFET美国 | |
| 型号： | IRF7425PBF |
| 品牌/商标 | InterFET美国 | 型号/规格 | IRF7425PBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 20（V） | 夹断电压 | 1.2（V） |
| 低频跨导 | 2（μS） | 极间电容 | 36（pF） |
| 低频噪声系数 | 25（dB） | 漏极电流 | 15A（mA） |
| 耗散功率 | 3000（mW） |
| IRF7425PbF |
| 8-SOIC Pkg |
| 95 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| HEXFET® |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 8.2 毫欧 @ 15A, 4.5V |
| 20V |
| 1.2V @ 250µA |
| 130nC @ 4.5V |
| 15A |
| 7980pF @ 15V |
| 2.5W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（3.9mm 宽） |
| 管件 |
| 8-SO |
- 所属城市：广东 深圳
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FQA9N90C结型场效应管N沟道
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQA9N90C 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 900（V） 夹断电压 900（V） 低频跨导 125（μS） 极间电容 320（pF） 低频噪声系数 54（dB） 漏极电流 90000（mA） 耗散功率 2500（mW） 数据列表FQA9N90C产品变化通告Design/Process Change Notification 26/June/2007标准包装450类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列QFET™FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物...
AP3766 AP3706 AMC7135 AMC7150 LED驱动IC 专做 全线BCD品牌
信息内容：品牌/商标 BCD 型号/规格 AP3766 封装 SOT-23-6 批号 1036+ 类型 电源模块 输入电压 12（V） 输出电压 31（V） 功率 10（W） LED驱动电源的具体要求LED是低压发光器件，具有长寿命，高光效，安全环保，方便使用等优点。对于交流市电输入电源驱动，隔离输出是基于安全规范的要求。LED驱动电源的效率越高，则越能发挥LED高光效，节能的优势。同时高开关工作频率，高效率使得整个LED驱动电源容易安装在设计紧凑的LED灯具中。高恒流精度保证了大批量使用LED照明时的亮度和光色一致性。IEC国际电工委员会对照明灯具提出了明确的谐波要求，即IEC61000-3-2标准。同时，的能源之星（Energy Star）标准提出对于大于5W的LED照明产品，要求功率因数指标，即PF，必须大于0.7。BCD半导体制造有限公司(简称BCD Semi)专注于电源管理集成电路产品的设计研发、工艺制造和销售。针对LED驱动电源...
