| 品牌/商标 | SGS法意电子 | 型号/规格 | STP65NF06 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | D/变频换流 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 65(V) | 夹断电压 | 65(V) |
| 低频跨导 | 65(μS) | 极间电容 | 65(pF) |
| 低频噪声系数 | 65(dB) | 漏极电流 | 60(mA) |
| 耗散功率 | 1250(mW) |
| STD65NF06, STP65NF06 |
| TO-220 Pkg |
| ST Series TO-220 |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET,GaNFET - 单 |
| STripFET™ |
| MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 标准型 |
| 14 毫欧 @ 30A, 10V |
| 60V |
| 4V @ 250µA |
| 75nC @ 10V |
| 60A |
| 1700pF @ 25V |
| 110W |
| 通孔 |
| TO-220-3 (直引线) |
| 管件 |
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF540NSPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MW/微波 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 100(V) 夹断电压 10(V) 跨导 1100(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 10(dB) 漏极电流 3300(mA) 耗散功率 10(mW) 規格書IRF540N(S,L)PbF產品相片D2PAK, TO-263標準包裝50類別離散半導體產品家庭FET - 單路系列HEXFET®FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點標準開態Rds()@ Id, Vgs @ 25&...
品牌/商标 NXP恩智浦 型号/规格 PMBS3906 应用范围 放大 功率特性 中功率 频率特性 高频 极性 PNP型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 截止频率fT 150(MHz) 集电极允许电流ICM 150MA(A) 集电极耗散功率PCM 250MW(W) 营销方式 代理 产品性质 热销