场效应管 STB19NB20T4/B19NB20可代用IRF640NS/IRF640S/IRF630
| 价 格： | 1.50 | |
| 品牌： | STMicroelectronics | |
| 型号： | STB19NB20T4 |
| 品牌/商标 | STMicroelectronics | 型号/规格 | STB19NB20T4 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 3-5（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 漏极电流 | 19A（mA） |
| 耗散功率 | 125W（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 欧阳立
- 电话：755-83200113
- 传真：755-83200113
- 手机：
- QQ ：
实体店供应原装P沟道场效应管 IRF9540N/IRF9540/IRF9540NPBF
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRF9540NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 -4（V） 夹断电压 0（V） 漏极电流 23A（mA） 耗散功率 94W（mW）
场效应管 IPD09N03/IPD09N03LA
信息内容：品牌/商标 Infineon 型号/规格 IPD09N03LAG 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1.2-2（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 46000（μS） 极间电容 1235（pF） 漏极电流 50000（mA） 耗散功率 63000（mW） Low Voltage MOSFETs - OptiMOS®2 Power MOSFET, 25V, D-PAK, RDSon = 8.6mOhm, 50A,
