品牌/商标 | INR美德国际整流器件 | 型号/规格 | IRF9540NPBF |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | -4(V) |
夹断电压 | 0(V) | 漏极电流 | 23A(mA) |
耗散功率 | 94W(mW) |
品牌/商标 Infineon 型号/规格 IPD09N03LAG 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1.2-2(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 46000(μS) 极间电容 1235(pF) 漏极电流 50000(mA) 耗散功率 63000(mW) Low Voltage MOSFETs - OptiMOS®2 Power MOSFET, 25V, D-PAK, RDSon = 8.6mOhm, 50A,
品牌/商标 TS 型号/规格 P6KE6.8CA 封装形式 直插型 装配方式 有引线表面组装 封装材料 塑料封装 产品类型 瞬变抑制二极管 DIODE TVS 6.8V 600W BI-DIR類別 過電壓,電流,溫度設備家庭 TVS - 齊納二極管Series P6KE封裝/外殼 軸向封裝 編帶和捲軸封裝(TR)極化 雙向功率(瓦特) 600W電壓 - 反向關態(典型值) 5.8V電壓 - 擊穿 6.45V