场效应管 IPD09N03/IPD09N03LA
| 价 格： | 0.80 | |
| 品牌： | Infineon | |
| 型号： | IPD09N03LAG |
| 品牌/商标 | Infineon | 型号/规格 | IPD09N03LAG |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 1.2-2（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 46000（μS） | 极间电容 | 1235（pF） |
| 漏极电流 | 50000（mA） | 耗散功率 | 63000（mW） |
Low Voltage MOSFETs - OptiMOS®2 Power MOSFET, 25V, D-PAK, RDSon = 8.6mOhm, 50A,
- 所属城市：广东 深圳
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瞬变抑制二极管P6KE6.8CA
信息内容：品牌/商标 TS 型号/规格 P6KE6.8CA 封装形式 直插型 装配方式 有引线表面组装 封装材料 塑料封装 产品类型 瞬变抑制二极管 DIODE TVS 6.8V 600W BI-DIR類別 過電壓，電流，溫度設備家庭 TVS - 齊納二極管Series P6KE封裝/外殼 軸向封裝 編帶和捲軸封裝(TR)極化 雙向功率（瓦特） 600W電壓 - 反向關態（典型值） 5.8V電壓 - 擊穿 6.45V
绝缘晶体三极管KTD2060
信息内容：品牌/商标 KEC 型号/规格 KTD2060-Y 应用范围 功率 功率特性 中功率 频率特性 高频 极性 NPN型 结构 平面型 材料 硅 封装形式 TO-220F 封装材料 塑料封装 截止频率fT 8（MHz） 集电极允许电流ICM 4（A） 集电极耗散功率PCM 25（W） 营销方式 现货 产品性质 热销 類別 離散半導體產品 家庭 電晶體(BJT) - 單路 電晶體類型 NPN 額定電壓 80V 額定電流 4A 封裝/外殼 TO-220F 封裝 管裝
