PK55FG160 可控硅 现货批发
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | Sanrex三社 | |
| 型号： | PK55FG160 |
| 品牌/商标 | Sanrex三社 | 型号/规格 | PK55FG160 |
| 控制方式 | 双向 | 极数 | 二极 |
| 封装材料 | 金属封装 | 封装外形 | 平底形 |
| 关断速度 | 普通 | 散热功能 | 不带散热片 |
| 功率特性 | 大功率 | 频率特性 | 高频 |
| 额定正向平均电流 | 55（A） | 控制极触发电压 | 1.2（V） |
| 控制极触发电流 | 45（mA） | 正向重复峰值电压 | 1600（V） |
| 反向阻断峰值电压 | 1600（V） |
本公司全新供应日本三社可控硅模块：
PK25FG160，PK55FG160，PK70FG160，PK90FG160
PK110FG160，PK130FG160，PK160FG160，
PK200FG160，PK250FG160，PK160HB160，
PK250HB160，SBA500AA120，SBA500AA160
电焊机常用模块：
PWB60A40，PWB80A40，PWB130A40，PWB200AA40
以上产品有现货供应，欢迎来电订购。
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现货三相桥式IGBT F4-100R12KS4 模块
信息内容：品牌/商标 SIE德国西门子AG 型号/规格 F4-100R12KS4 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 2（V） 夹断电压 2（V） 跨导 2（μS） 极间电容 2（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 100（mW）
IXTQ60N20T 原装场效管现货
信息内容：品牌/商标 IXY美国电报半导体 型号/规格 IXTQ60N20T 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 D-G双栅四极 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 0.1（V） 夹断电压 1（V） 低频跨导 0.35（μS） 极间电容 100（pF） 低频噪声系数 100（dB） 漏极电流 2500（mA） 耗散功率 200（mW）
