品牌/商标 | IXY美国电报半导体 | 型号/规格 | IXTQ60N20T |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | D-G双栅四极 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | IGBT绝缘栅比极 |
开启电压 | 0.1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
低频跨导 | 0.35(μS) | 极间电容 | 100(pF) |
低频噪声系数 | 100(dB) | 漏极电流 | 2500(mA) |
耗散功率 | 200(mW) |
品牌/商标 英飞凌 型号/规格 IKW50N60T 封装形式 直插型 种类 绝缘栅 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 营销方式 现货 用途 变频器,电焊机 高频,电焊机选用IGBT 分离器件(单管)及快复二极管. 选型参数:220V AC输入:本公司推荐产品: SKW20N60HS 4支 大于150K 100A SKW20N60HS 4支 大于150K 125A SKW30N60HS 4支 大于150K 160A SKW30N60HS 4支 大于150K 200A IKW50N60T 4支 大于50K 250A IKW50N60T 8支 大于50K 300A 欢迎来电订购: 长期库存现货
品牌/商标 FJD日本富士电机 型号/规格 2MBI75N-060 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 D/变频换流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 1(V) 夹断电压 2(V) 跨导 1(μS) 极间电容 12(pF) 低频噪声系数 12(dB) 漏极电流 11(mA) 耗散功率 12(mW)