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IXTQ60N20T 原装场效管现货

价 格: 12.00
品牌:IXY美国电报半导体
型号:IXTQ60N20T

品牌/商标 IXY美国电报半导体 型号/规格 IXTQ60N20T
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道
导电方式 增强型 用途 D-G双栅四极
封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 IGBT绝缘栅比极
开启电压 0.1(V) 夹断电压 1(V)
低频跨导 0.35(μS) 极间电容 100(pF)
低频噪声系数 100(dB) 漏极电流 2500(mA)
耗散功率 200(mW)

深圳市宝安区沙井珊菱电力电子销售部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 王小熊
  • 电话:0755-88853933
  • 传真:0755-88853933
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公司相关产品

IKW50N60T IGBT 单管 现货

信息内容:

品牌/商标 英飞凌 型号/规格 IKW50N60T 封装形式 直插型 种类 绝缘栅 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 营销方式 现货 用途 变频器,电焊机 高频,电焊机选用IGBT 分离器件(单管)及快复二极管. 选型参数:220V AC输入:本公司推荐产品: SKW20N60HS 4支 大于150K 100A SKW20N60HS 4支 大于150K 125A SKW30N60HS 4支 大于150K 160A SKW30N60HS 4支 大于150K 200A IKW50N60T 4支 大于50K 250A IKW50N60T 8支 大于50K 300A 欢迎来电订购: 长期库存现货

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现货供应2MBI75N-060 深圳价格

信息内容:

品牌/商标 FJD日本富士电机 型号/规格 2MBI75N-060 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 D/变频换流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 1(V) 夹断电压 2(V) 跨导 1(μS) 极间电容 12(pF) 低频噪声系数 12(dB) 漏极电流 11(mA) 耗散功率 12(mW)

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