品牌/商标 | SIE德国西门子AG | 型号/规格 | F4-100R12KS4 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-FBM/全桥组件 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | IGBT绝缘栅比极 |
开启电压 | 2(V) | 夹断电压 | 2(V) |
跨导 | 2(μS) | 极间电容 | 2(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 100(mW) |
品牌/商标 IXY美国电报半导体 型号/规格 IXTQ60N20T 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 D-G双栅四极 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 0.1(V) 夹断电压 1(V) 低频跨导 0.35(μS) 极间电容 100(pF) 低频噪声系数 100(dB) 漏极电流 2500(mA) 耗散功率 200(mW)
品牌/商标 英飞凌 型号/规格 IKW50N60T 封装形式 直插型 种类 绝缘栅 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 营销方式 现货 用途 变频器,电焊机 高频,电焊机选用IGBT 分离器件(单管)及快复二极管. 选型参数:220V AC输入:本公司推荐产品: SKW20N60HS 4支 大于150K 100A SKW20N60HS 4支 大于150K 125A SKW30N60HS 4支 大于150K 160A SKW30N60HS 4支 大于150K 200A IKW50N60T 4支 大于50K 250A IKW50N60T 8支 大于50K 300A 欢迎来电订购: 长期库存现货