品牌/商标 | SHI | 型号/规格 | 2SK1535 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 0(V) | 夹断电压 | 0(V) |
低频跨导 | 0(μS) | 极间电容 | 0(pF) |
低频噪声系数 | 0(dB) | 漏极电流 | 0(mA) |
耗散功率 | 0(mW) |
供应一系列三极管
BUT11A | PHI |
BYC10-600 | PHI |
D10SC9M | |
E13003 | 仙童 |
EL2008 | EL |
FCQ10A04 | |
FCQ20A06 | |
FDP047 | 仙童 |
FDP050 | 仙童 |
FDP060 | 仙童 |
FDP3652 | 仙童 |
FQP9N90 | 仙童 |
FS100UM-03 | 三凌 |
FS18KM-9 | 三凌 |
FS50UM-06 | 三凌 |
FS5KM-18 | 三凌 |
FS70UM-02 | 三凌 |
FS70UM-06 | 三凌 |
FS7KM-16 | 三凌 |
G7N60 | ST |
GT15J321 | 东芝 |
HFA15TB60 | IR |
HFA16TA60 | IR |
IRF1010 | IR |
IRF2805 | IR |
IRF2807 | IR |
IRF3205 | IR |
IRF3415 | IR |
品牌/商标 富士通 型号/规格 2SK3262 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW)
品牌/商标 日立 型号/规格 2SK1199 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) 供应一系列三极管2SK894TOSHIBA2SK896TOSHIBA2SK897富士通2SK899FUJI富士通N/A2SK901FUJI2SK902FUJI2SK903FUJI2SK903富士通2SK904FUJI2SK904富士通2SK905FUJI2SK906FUJI2SK926NEC2SK928NIP2SK929NIP2SK934NIP2...