品牌/商标 | 日立 | 型号/规格 | 2SK1199 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 0(V) | 夹断电压 | 0(V) |
低频跨导 | 0(μS) | 极间电容 | 0(pF) |
低频噪声系数 | 0(dB) | 漏极电流 | 0(mA) |
耗散功率 | 0(mW) |
供应一系列三极管
2SK894 | TOSHIBA |
2SK896 | TOSHIBA |
2SK897 | 富士通 |
2SK899 | FUJI |
富士通 | N/A |
2SK901 | FUJI |
2SK902 | FUJI |
2SK903 | FUJI |
2SK903 | 富士通 |
2SK904 | FUJI |
2SK904 | 富士通 |
2SK905 | FUJI |
2SK906 | FUJI |
2SK926 | NEC |
2SK928 | NIP |
2SK929 | NIP |
2SK934 | NIP |
2SK946 | FUJI |
2SK947 | FUJI |
2SK949 | FUJI |
2SK950 | FUJI |
2SK951 | FUJI |
2SK952 | FUJI |
品牌/商标 NIP/TOSHIBAIBA 型号/规格 2SK1493 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) 供应一系列三极管系列SG6742MRSY仙童06N80C3英飞凌16CTQ100IR18N50PV2仙童20N60C3英飞凌2SB1020东芝2SB1258SK2SB1259SK2SB834东芝2SC3746三洋2SC3834SK2SC4544东芝2SD1309NEC2SD880东芝2SJ...
品牌/商标 SHI 型号/规格 LM3940-3.3 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW)