品牌/商标 | 富士通 | 型号/规格 | 2SK3262 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 0(V) | 夹断电压 | 0(V) |
低频跨导 | 0(μS) | 极间电容 | 0(pF) |
低频噪声系数 | 0(dB) | 漏极电流 | 0(mA) |
耗散功率 | 0(mW) |
品牌/商标 日立 型号/规格 2SK1199 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) 供应一系列三极管2SK894TOSHIBA2SK896TOSHIBA2SK897富士通2SK899FUJI富士通N/A2SK901FUJI2SK902FUJI2SK903FUJI2SK903富士通2SK904FUJI2SK904富士通2SK905FUJI2SK906FUJI2SK926NEC2SK928NIP2SK929NIP2SK934NIP2...
品牌/商标 NIP/TOSHIBAIBA 型号/规格 2SK1493 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) 供应一系列三极管系列SG6742MRSY仙童06N80C3英飞凌16CTQ100IR18N50PV2仙童20N60C3英飞凌2SB1020东芝2SB1258SK2SB1259SK2SB834东芝2SC3746三洋2SC3834SK2SC4544东芝2SD1309NEC2SD880东芝2SJ...