SSS18N50PVZ
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | 仙童 | |
| 型号： | SSS18N50PVZ |
| 品牌/商标 | 仙童 | 型号/规格 | SSS18N50PVZ |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
供应一系列三极管
| 2SB705 |
| 2SB706 |
| 2SB707 |
| 2SB708 |
| 2SB709 |
| 2SB512 |
| 2SB513 |
| 2SB514 |
| 2SB595 |
| 2SB633 |
| 2SB1369 |
| 2SB711 |
| 2SB712 |
| 2SB546 |
| 2SB920 |
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| 2SB765 |
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| 2SB1087 |
- 所属城市：广东 汕头
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 王钟禄
- 电话：0754-84495862
- 传真：0754-84495862
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场效应管2SK1535
信息内容：品牌/商标 SHI 型号/规格 2SK1535 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 供应一系列三极管BUT11APHIBYC10-600PHID10SC9M E13003仙童EL2008ELFCQ10A04 FCQ20A06 FDP047仙童FDP050仙童FDP060仙童FDP3652仙童FQP9N90仙童FS100UM-03三凌FS18KM-9三凌FS50UM-06三凌FS5KM-18三凌FS...
三极管2SK3262
信息内容：品牌/商标 富士通 型号/规格 2SK3262 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
