品牌/商标 | ON安森美 | 型号/规格 | MMBT8099 |
应用范围 | 放大 | 功率特性 | 大功率 |
频率特性 | 高频 | 极性 | NPN型 |
结构 | 平面型 | 材料 | 硅(Si) |
封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
截止频率fT | 150(MHz) | 集电极允许电流ICM | 500 m(A) |
集电极耗散功率PCM | 225 m(W) | 营销方式 | 现货 |
产品性质 | 热销 |
产品介绍:
贴片三极管SOT-23封装■产品类别:小信号功率晶体管/电晶体■工业型号:MMBT8099)■主要参数: 极 性:NPN BVcbo:80 V; BVceo:80 V IC - 电流:500 mA; PD - 功率:225 mW Icbo@Vcb:100 nA @ 80 V hFE:100~300 (放大倍数分段可选) ( Ic: 1 mA,Vce: 5 V ) VCE(sat) @ IC, IB: Max. 0.4 V,IC: 100 mA,IB: 5 mA fT Min.Typ.(#): 150 MHz Cob Max.Typ.(#): 6 pF■元件标识: KB■包装规格:SOT-23,贴片卷带卷盘包装■包装数量:每卷3K,每盒30K,每箱360K■深圳营业代表提供 价格说明面洽 产品数量大量包装说明3000PCS/卷, 4卷/盒产品规格SOT-23 SMD
■华昕电子,贴片三极管SOT-23封装■产品类别:小信号功率晶体管/电晶体■工业型号:MMBT8099■华昕型号:HMBT8099( 元件标志KB)■主要参数: 极 性:NPN BVcbo:80 V; BVceo:80 V IC - 电流:500 mA; PD - 功率:225 mW Icbo@Vcb:100 nA @ 80 V hFE:100~300 (放大倍数分段可选) ( Ic: 1 mA,Vce: 5 V ) VCE(sat) @ IC, IB: Max. 0.4 V,IC: 100 mA,IB: 5 mA fT Min.Typ.(#): 150 MHz Cob Max.Typ.(#): 6 pF■元件标识: KB■包装规格:SOT-23,贴片卷带卷盘包装■包装数量:每卷3K,每盒30K,每箱360K■华昕电子-深圳营业代表提供 价格说明面洽 产品数量大量包装说明3000PCS/卷, 4卷/盒产品规格SOT-23 SMD
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深圳博恩通电子有限公司
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电话:13480663353
品牌/商标 IR 型号/规格 IRF640 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 漏极电流 18(mA) 耗散功率 150(mW)
品牌/商标 NXP恩智浦 型号/规格 BT136-600E/D 控制方式 双向 极数 多极 封装材料 金属封装 关断速度 普通 散热功能 带散热片 频率特性 高频 功率特性 大功率 额定正向平均电流 5(A) 控制极触发电流 25(mA) 稳定工作电流 50(A) 反向重复峰值电压 600(V) 型号:BT136-600E/D (双向可控硅& TRIACs) 封装: TO-220\TO-252 参数: 4A /600V 触发电流/IGT:≤15mA(可选) 结温:-40~110℃ 管脚排列:T1~G~T2(中间脚与散热片导通) 规格包装:1000PCS/一盒、2500PCS/盘 无铅产品,09+全新,保证质量 供货签订供销合同,提供物料ROHS认证 此物料可按客户要求订...