品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRF640 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 漏极电流 | 18(mA) |
耗散功率 | 150(mW) |
品牌/商标 NXP恩智浦 型号/规格 BT136-600E/D 控制方式 双向 极数 多极 封装材料 金属封装 关断速度 普通 散热功能 带散热片 频率特性 高频 功率特性 大功率 额定正向平均电流 5(A) 控制极触发电流 25(mA) 稳定工作电流 50(A) 反向重复峰值电压 600(V) 型号:BT136-600E/D (双向可控硅& TRIACs) 封装: TO-220\TO-252 参数: 4A /600V 触发电流/IGT:≤15mA(可选) 结温:-40~110℃ 管脚排列:T1~G~T2(中间脚与散热片导通) 规格包装:1000PCS/一盒、2500PCS/盘 无铅产品,09+全新,保证质量 供货签订供销合同,提供物料ROHS认证 此物料可按客户要求订...
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 BTA16 BTA26 BTA41 控制方式 单向 极数 三极 封装材料 塑料封装