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原装场效应管STP55NF06/55NF06/P55NF06/50N06华强实体店Q1C040室

价 格: 1.20
品牌:SGS法意电子
型号:STP55NF06

品牌/商标 SGS法意电子 型号/规格 STP55NF06
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源
材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1.7(V)
夹断电压 0(V) 跨导 30S(μS)
漏极电流 55a(mA) 耗散功率 95W(mW)

描述

  • 晶体管极性:N沟道
  • 电流, Id 连续:50A
  • 电压, Vds :60V
  • 在电阻RDS(上):18mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 工作温度范围:-55°C 到 +175°C
  • 封装类型:TO-220
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
  • 功率, Pd:30W
  • 功耗:95W
  • 封装类型:TO-220
  • 漏极电流, Id 值:50A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电压, Vgs :20V
  • 电流, Idm 脉冲:200A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:18mohm

深圳市福田区华强广场新原电子销售部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 欧阳立
  • 电话:755-83200113
  • 传真:755-83200113
  • 手机:
  • QQ :
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品牌/商标 STMicroelectronics 型号/规格 STB19NB20T4 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 3-5(V) 夹断电压 0(V) 漏极电流 19A(mA) 耗散功率 125W(mW)

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