品牌/商标 | YGMOS | 型号/规格 | GT2305 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
开启电压 | 0.85(V) | 夹断电压 | 20(V) |
漏极电流 | 4700(mA) | 耗散功率 | 1100(mW) |
品牌/商标 国产 型号/规格 C945 SOT-23 应用范围 放大 频率特性 中频 极性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 截止频率fT 150(MHz) 集电极允许电流ICM 0.15(A) 集电极耗散功率PCM 0.2(W) 营销方式 现货 产品性质 热销 C945 SOT-23 3K一个包装 C945 TRANSISTOR (NPN) FEATURE Excellent hFE LinearityLow noise Complementary to A733 MARKING:CR·MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collect...
品牌/商标 GTM 型号/规格 GSS4953 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 -1.7(V) 夹断电压 -30(V) 漏极电流 -5.3(mA) 耗散功率 2500(mW) GSS4953 SOP-8 3000PCS/盘 -30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET -30V 双 P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-5.3A= 60mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-4.0A= 90mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计 深圳市阔晶电子有限公司,MOS管,IC,二...