超低价供应优质 C945 SOT-23放大三极管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | C945 SOT-23 | |
| 频率特性： | 中频 | |
| 极性： | NPN型 | |
| 封装形式： | 贴片型 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | C945 SOT-23 |
| 应用范围 | 放大 | 频率特性 | 中频 |
| 极性 | NPN型 | 结构 | 面接触型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 截止频率fT | 150（MHz） |
| 集电极允许电流ICM | 0.15（A） | 集电极耗散功率PCM | 0.2（W） |
| 营销方式 | 现货 | 产品性质 | 热销 |
C945 SOT-23 3K一个包装
C945 TRANSISTOR (NPN)
FEATURE
Excellent hFE Linearity
Low noise
Complementary to A733
MARKING:CR·
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage -40 V
VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V
VEBO Emitter-Base Voltage -5 V
IC Collector Current -Continuous -3 A
PC Collector Power Dissipation 0.5 W
R?JA Thermal Resistance, junction to Ambient 250 ℃/W
Tj Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature -55-150 ℃
《深圳阔晶电子商行》
深圳市阔晶电子是一家经营二、三极管、IC批发商。主要销售世界知名厂商生的DIP和SMD三极管，品种齐全，主要品有：三极管直插贴片、场效应管、可控硅、三端稳压以及各种偏冷门三极管等数万个品种，质量保证，价格特优，并常备大量现货供应，量大单价从优，期待您的合作。
联系方式：颜婵贞 13632530586 QQ：731785022 TEL：755-83234439
MSN：szcool2009@hotmail.com E-mail:yanchanzhen@126.com FAX：0755-83234439
地址：深圳市福田区华强北路中航路新亚洲二期N1B250柜
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 颜婵銮
- 电话：755-83234439
- 传真：755-83234439
- 手机：
- QQ ：
优势供应 场效应管 贴片MOS管 GSS4953
信息内容：品牌/商标 GTM 型号/规格 GSS4953 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 -1.7（V） 夹断电压 -30（V） 漏极电流 -5.3（mA） 耗散功率 2500（mW） GSS4953 SOP-8 3000PCS/盘 -30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET -30V 双 P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-5.3A= 60mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-4.0A= 90mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计 深圳市阔晶电子有限公司，MOS管，IC，二...
优势供应 场效应管 2300 SOT-23 贴片MOS管
信息内容：品牌/商标 台产 型号/规格 2300 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.85（V） 夹断电压 20（V） 漏极电流 4200（mA） 耗散功率 1400（mW） 2300 SOT-23 3000PCS/盘 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N-沟道增强型 MOS VDS= 20VRDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@3.5A= 38mΩRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@4.2A= 30mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计High Power and Current handing capability 大功率、大...
