品牌/商标 | GTM | 型号/规格 | GSS4953 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
开启电压 | -1.7(V) | 夹断电压 | -30(V) |
漏极电流 | -5.3(mA) | 耗散功率 | 2500(mW) |
GSS4953 SOP-8 3000PCS/盘
-30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET -30V 双 P 沟道增强型 MOS 管
VDS= -30V
RDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-5.3A= 60mΩ
RDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-4.0A= 90mΩ
Features 特性
Advanced trench process technology 的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
极低的导通电阻高密度的单元设计
深圳市阔晶电子有限公司,MOS管,IC,二三极管供应商,常备现货,量大单价从优,期待您的合作。
联系方式:颜婵贞 13632530586 QQ:731785022 TEL:0755-83234439
MSN:szcool2009@hotmail.com E-mail:yanchanzhen@126.com
地址:深圳市福田区华强北路中航路新亚洲二期N1B250柜和N2B232柜
品牌/商标 台产 型号/规格 2300 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.85(V) 夹断电压 20(V) 漏极电流 4200(mA) 耗散功率 1400(mW) 2300 SOT-23 3000PCS/盘 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V N-沟道增强型 MOS VDS= 20VRDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@3.5A= 38mΩRDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@4.2A= 30mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 极低的导通电阻高密度的单元设计High Power and Current handing capability 大功率、大...
品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 1N4001 M1 产品类型 整流管 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 中功率 频率特性 中频 正向直流电流IF 1(A) 反向电压 35(V) SMD封装:1N4001 (M1 ) 1N4004 (M4) 1N4007 (M7) 5819 (SS14) 5822(SS34)...DIP封装:1N4001(DO-41) 1N4004 (DO-41) 1N4004 (DO-41)... 原装,欢迎咨询:----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------深圳市阔晶电子有限公司,MOS管,IC,二三极管供应商,常备现货,量大单价从优,期待您的合作。联系方式:颜婵贞 13632530586 QQ:73178...