品牌/商标 | TOSHIBA东芝 | 型号/规格 | 1N4001 M1 |
产品类型 | 整流管 | 结构 | 面接触型 |
材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 贴片型 |
封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | 中功率 |
频率特性 | 中频 | 正向直流电流IF | 1(A) |
反向电压 | 35(V) |
SMD封装:1N4001 (M1 ) 1N4004 (M4) 1N4007 (M7) 5819 (SS14) 5822(SS34)...
DIP封装:1N4001(DO-41) 1N4004 (DO-41) 1N4004 (DO-41)...
原装,欢迎咨询:
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
深圳市阔晶电子有限公司,MOS管,IC,二三极管供应商,常备现货,量大单价从优,期待您的合作。
联系方式:颜婵贞 13632530586 QQ:731785022 TEL:755-83234439
MSN:szcool2009@hotmail.com E-mail:yanchanzhen@126.com FAX:0755-83234439
地址:深圳市福田区华强北路中航路新亚洲二期N1B250柜
品牌/商标 YGMOS 型号/规格 GT9435 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 2(V) 夹断电压 30(V) 漏极电流 -5300(mA) 耗散功率 2500(mW) GT9435 SOP-8 3000PCS/盘 -30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET -30V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -30VRDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-5.3A= 60mΩRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-4.2A= 90mΩ Features 特性Advanced trench process technology 的加工技术High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance极低的导通电阻高密度的单元设计 《深圳阔晶电子》地址:深圳市福田区华强北路中...
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 LL4148 1N4148 产品类型 开关管 结构 平面型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 玻璃封装 功率特性 小功率 LED封装 无色透明封装(T) 正向直流电流IF 0.3(A) 反向电压 75(V) LL4148 SOD80 2.5K/盘 LL-34 2.5K/盘 SOD123 3K/盘 1206圆柱形 2.5K/盘 《深圳阔晶电子》地址:深圳市福田区华强北路中航路新亚洲二期N1B250柜电子元器件供应商,常备现货,量大单价从优,期待您的合作。详情请联系:颜婵贞 13632530586 QQ:731785022TEL:755-83234439 MSN:szcool2009@hotmail.comE-mail:yanchanzhen@126.com